简介：
主要参数：
替代型号:
封装类型：
SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：－2.3A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
SOT-23
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