概述

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背散射电子 back scattered electron

当电子束照射样品时，入射电子在样品内遭到衍射时，会改变方向，甚至损失一部分能量（在非弹性散射的情况下）。在这种弹性和非弹性散射的过程中，有些入射电子累积散射角超过90度，并将重新从样品表面逸出。那么背散射电子就是由样品反射出来的初次电子，其主要特点是： 能量很高，有相当部分接近入射电子能量 E 0 ，在试样中产生的范围大，像的分辨率低。 背散射电子发射系数 η =I B /I 0 随原子序数增大而增大。 作用体积随入射束能量增加而增大，但发射系数变化不大。

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背散射电子成像(Back scattered Electron Imaging,简称BSE),是依托扫描电镜的一种电子成像技术,它的成像原理和特点非常适合用来研究那些表皮尚存的各类笔石标本,是二次电子成像(SEM)无法替代的.当前BSE图象显示了许多以往其他途径无法观察到的笔石微细结构,特别是笔石复杂的始端发育特征,结果验证了Psigraptus jacksoni的二分岔式和Rhabdinopora flabelliformis parabola的四分岔式原始分枝的观点,显示它们都具有最原始的等。