个人简介张进成，男，1976年生，陕西省富平县人。现任西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任和学术带头人之一，2008年国防科技创新团队骨干成员，2009年国家技术发明二等奖获得者（排名第二），微电子学院党委委员，校青年工作委员会委员，IEEE会员。先后入选2010年陕西省“新世纪三五人才”计划，被授予陕西省青年科技新星（2010年）、教育部新世纪优秀人才（2007年）、陕西省高等学校优秀青年教师（2005年）、校十佳青年教师（2005年）、校优秀共产党员（2010年）以及校先进教育工作者（2004年）等荣誉称号。

个人简历张进成分别于1998年、2001年和2004年在西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得学士、硕士和博士学位，师从我国著名的微电子专家郝跃教授。2005年6月晋升为副教授，2009年6月破格晋升为教授。分别于2005年12月和2010年12月被评为微电子学与固体电子学硕士生指导教师和博士生指导教师。2008年10月起担任宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任。

研究领域（1）宽禁带半导体技术（设备、材料、微波器件、功率器件等）；

（2）低维半导体材料与器件（超晶格、纳米、石墨烯等）；

（3）半导体光电材料与器件（LED、太阳电池等）。

科研项目作为主要技术负责人先后承担并完成了包括国家重大专项、973计划在内的20多项国家科研项目。作为主要技术负责人目前在研课题20余项。

代表性科研课题包括：

（1）国家自然基金重大项目课题，氮化镓基毫米波功率器件与材料基础与关键问题研究，2009-2012

（2）国家自然基金重点项目课题，GaN 宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究，2008-2011，验收优秀

（3）973计划子课题，GaN基材料性能表征方法，20004-2008

（4）新世纪优秀人才支持计划项目，GaN基宽禁带半导体材料与微波功率器件，2007-2009

（5）国家科技重大专项，XXX功率器件，2008-2011

（6）973计划子课题，XXX太阳电池制备与器件物理研究，2011-2014

科研成果及获奖情况作为主要技术负责人先后研制出表面反应增强型MOCVD系统、高性能GaN异质结构外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN蓝光LED以及InGaN基化合物半导体太阳电池等大量研究成果，填补了多项国内空白，打破了发达国家的技术垄断。合作开发的MOCVD技术和高亮度蓝光LED技术已实现技术转让和产业化，产值上亿元。研制的高性能GaN异质结构外延材料在中科院微电子所等国内单位以及日本、新加坡等国的研究机构中获得大量应用，被评价为材料性能达到国际先进水平。

科研获奖情况如下：

（1）2009年国家技术发明二等奖，排名第2，XXX外延技术与核心设备

（2）2006年陕西省科学技术一等奖，排名第3，高亮度GaN蓝光LED技术

（3）2006年国防科技进步二等奖，排名第2，XXX器件及关键技术研究

（4）2008年高等学校科技进步二等奖，排名第3，XXX设备与生长技术

（5）2001年国防科技进步二等奖，排名第6，XXX可靠性设计技术研究

（6）2009年国防科技进步一等奖，XXX材料和器件基础研究

论文与专利发表高水平学术论文100余篇，其中被SCI收录80余篇，获得授权国家发明专利20余件。

教学与人才培养多年来承担了《模拟电子技术基础》、《高频电子线路》、《集成电路工艺基础》等课程的主教教学工作。累计指导毕业研究生30多名，有5人次论文被评为校优秀研究生论文，其中特等奖1次，一等奖2次和二等奖2次。