肖特基势垒源和漏的MOSFET（Schottky barrier source and drain MOSFET），简称为肖特基势垒MOSFET 。这种结构MOSFET的源极和漏极都采用肖特基势垒，而不是一般MOSFET的p-n结势垒。

肖特基势垒MOSFET 的优点：等效于使源和漏的结深减小（几乎为0），短沟道效应大大减弱；源和漏接触的高导电性，使得源、漏的串联电阻降低；源和漏接触的制作不需要高温退火, 这可保证SiO2层的质量和几何图形在加工过程中不发生变化；对宽禁带半导体硫化镉（CdS）等之类的单极性半导体, 可用此接触来避免制作p-n结上的困难。

肖特基势垒MOSFET 的缺点：为了提高源-漏电压, 对半导体表面处理的工艺要求较高；对Si-MOSFET而言, 一般只能作成p-沟MOSFET，因为电极材料常用的是PtSi, 它与p-型Si的Schottky势垒高度只有0.25eV, 与n-型Si的Schottky势垒高度有0.85eV。