词条 | DDR4 |
释义 | DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范JESD79 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL 而是支持2.5V 的SSTL2标准它仍然可以沿用现有SDRAM 的生产体系制造成本比SDRAM 略高一些但远小于Rambus的价格DDR存储器代表着未来能与Rambu 相抗衡的内存发展的一个方向。 DDR4内存峰会据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会,而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。 JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时,DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式,大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。 DDR4内存规格DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。 根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品 DDR4内存现状DDR4内存的标准规范已经基本制定完成,三星、海力士等也早都陆续完成了样品,但因为DDR3正处于如日中天的壮年期,DDR4并不会急匆匆地到来。最新消息显示,DDR4内存或于2014年首先用于服务器领域,然后再过一年半左右才进入桌面。 据悉,Intel的再下代企业级服务器平台Haswell-EX将会第一个整合DDR4内存控制器。Haswell-EX和我们经常展望的Haswell属于同一家族,面向数据中心等大型企业领域,最多拥有16个核心,四路就是64核心。DDR4内存不仅会带来频率的大幅提升(最高可达4266MHz),更会有1.2V低电压、更好的对等保护和错误恢复等技术,这些大规模用于服务器和企业中心自然能看到立竿见影的好处。 至于桌面上,22nm Haswell、14nm Broadwell都会使用相同的LGA1150封装接口,内存控制器自然也都局限于DDR3,DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工艺新架构“Skylake”,那就是大约2015年的事情了。 这样的步调可不算快,之前市场调研机构曾经认为,DDR4内存到2015年就应该基本普及了。不过也好,升级太快了不见得是什么好事儿,大家可以更安心地享受廉价DDR3了。 另外,如果你担心Haswell、Broadwell会因此在内存性能上无所作为,倒也大可不必,因为一则DDR3的频率肯定会越来越高,二者这两代新处理器会有超低延迟内部内存控制器总线、刷功能被浮点峰值发射率、FMA运算、四级缓存等新特性,都有利于带来更好的内存性能。 |
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