Liquid-Phase Deposition(LDP)

液相沉积从属于半导体生长工艺的液相外延技术。

利用LDP工艺生长SiO2是新近发展起来的技术。溶液采用过饱和的氟硅酸溶液，利用其和水的如下反应：

H2SiF6 + H2O → SiO2 + 6 HF

根据如上反应，当H2SiF6的浓度、H2O的含量增加或是HF的浓度降低时，便发生 SiO2的沉积。

目前，已有采用向溶液中添加H3BO3、Al或水的方式来加快SiO2的沉积。

沉积的速率在0.001~0.007 nm/s，这取决于溶液的组成。其速率远小于热氧化的生长速率（（100））面，1000 ℃ 时大约 0.1 nm/s。

当前，已可以采用LPD沉积的金属的氧化物有：Ti、Sn、Zr、V、Cd、Zn、Ni、Fe、Al等。

和其他氧化物工艺相比，LPD有自己的优势：低温，廉价，基底的多样性等；热氧化生成的氧化膜的综合质量较好，但较高的氧化温度导致的热应力也会造成缺陷态的存在；电化学沉积过程中电流通路的存在导致膜的致密性差，疏松等。