EXAFS (Extended x-ray absorption fine structure)
吸收边产生的原因：
当入射X光子的能量等于被照射样品某内层电子的电离能时，会被大量吸收
XAFS包括EXAFS和XANES两种技术 EXAFS 是元素的X射线吸收系数在吸收边高能侧 30-1000 eV 范围出现的振荡。
XANES (X-ray absorption near edge structure)
是元素吸收边位置50 eV范围内的精细结构。
(精细结构：吸收边附近及其广延段存在一些分立的峰或波状起伏，称精细结构)
1.不依赖晶体结构，因此可用于大量的非晶态材料的研究
2.不受其他元素的干扰，对不同的元素的原子，可由吸收边位置不同，而得以分别研究
3.可测配位原子的种类、个数、间距等
4.浓度很低的样品，百万分之几的元素也能分析
5.样品制备比较简单，数据收集时间短