增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。分析图4.4的简单MOS晶体管可看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们是由不同的材料组成，使用多种工艺生长或淀积的。

这些主要的工艺技术是生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是化学汽相淀积（CVD） 、蒸发和溅射。图4.6列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况在本书的工艺章节各有阐述。各种薄膜在器件结构内的功用在第16章进行解释。

层别(Layers) 热氧化工艺(Thermal Oxidation) 化学汽相淀积工艺(Chemical Vapor Deposition) 蒸发工艺 (Evaporation) 溅射工艺(Sputtering)

绝缘层 (Insulators) 二氧化硅(Silicon Deioxide) 二氧化硅(Silicon Dioxide) 氮化硅(Silicon Nitrides) 二氧化硅 (Silicon Dioxide) 一氧化硅(Silicon Monoxide)

半导体层 (semiconductors) 外延单晶硅 (Epitaxial Silicon) 多晶硅 (Poly Silicon)

导体层 (conductors) 铝 (Aluminum) 铝/硅合金(Aluminum/Silicon) 铝铜合金 (Aluminum/Copper) 镍铬铁合金 (Nichrome) 黄金 (Gold) 钨 (Tungsten) 钛 (Titanium) 钼 (molybdenum) 铝/硅合金(Aluminum/Silicon) 铝铜合金 (Aluminum/Copper)

图 4.6 薄层分类/工艺与材料的对照表