王世进 高级工程；师。男，1938年12月生，江苏镇江人。大学。广州半导体材料研究所计量站总工程师。中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员。全国冶金系统先进工作者。1961年毕业于武汉大学半导体物理专业。从事半导体材料物理性能检测和测试仪器研制工作，历任研究室主任、副所长等职。完成主要研制项目：双光源单晶寿命测试仪；三探针外延片电阻率测试仪；精密四探针头；T2T－9探头；PTC－l型半导体陶瓷数字电阻仪。获国家专利1项，部、省级科技成果奖3项。发表《多晶硅的检测与晶界效应》等论文多篇。研究方向：半导体材料检测及设备。