性质：这是未掺Cr的GaAs中一种常见的深能级缺陷，它是施主型的复合点缺陷中心，实际上可能是两个Ga空位与GaAs所组成的一种点缺陷。

影响：它能够补偿浅受主杂质，而使得GaAs呈现为半绝缘状态；对材料性能的稳定性具有不良影响。

减小影响的措施：为了减小EL2这种缺陷中心，可在GaAs中适当地掺入一些Cr；但又为了避免过度掺Cr所带来的其他不良影响，则可同时掺入少量的氧，以形成一些ELO中心来共同起补偿作用。于是就发展出了一种既掺Cr又掺O的所谓双掺杂技术。