内存指标是一个INTEL研制的界面，用来进行高速制图。制图数据直接在PC制图管理器和计算机内存之间传输，而不需要通过视频高速缓冲存储器。

内存参数指标AGP（加速图形端口）:

这是一个INTEL研制的界面，用来进行高速制图。制图数据直接在PC制图管理器和计算机内存之间传输，而不需要通过视频高速缓冲存储器。

ACCESS TIME（存取时间）:

指的是RAM完成一次读取的平均时间（十亿分之一秒）。存取时间包括地址设立时间和反应时间 (反应时间是指要求数据指令的发出时间和准备存取所用的时间) 。 ANSI (美国国家标准协会) :

美国的负责制定信息技术标准的一个组织。 ASCII (美国信息交互标准代码) :

一种以二位制编码编制文本的方式。ASCII编码系统包含256 组7-bit 或 8-bit 的二进位数字来表示各个键。

BACKSIDE BUS（背面底板总线）:

在CPU和二级缓存之间运行的数据通道。 Bandwidth（带宽）:

指在电子线路上移动的数据数量，如底版总线、每秒等。 带宽通常以每秒通过的字位数、每秒通过的字节数或每秒通过的周期数来计算。 Bank(内存单元),Bank Schema(内存单元归划) :

内存单元归划包括代表内存在电脑主板上插槽的行和列，行指的是独立的插槽，列代表的是内存单元。 Base Rambus（低级RAMBUS）:

第一代RAMBUS技术，首次面市是在1995年。 BGA（Ball Grid Array）:

芯片封装的一种。使用BGA封装形式可以减少冲模封装的尺寸，散热更容易，内存密度更大。 Binary（二进制）:

一种编号方式，用0和1来代表数据。 BIOS (Basic Input-Output System，基本输入-输出系统) :

机器准备运行前的开机程序。 Bit（比特）:

指能被计算机识别的最小单位（1或者0） Buffer（缓冲器）:

通过以不同速度操作或按照某种顺序进行操作的设备将数据共享的区域。 缓冲器可以使机器在受到其他设备积压时不会引起操作延迟。 Buffered Memory （带缓冲内存）:

一种带缓冲器的内存。缓冲器可通过内存芯片重新驱动信号，并允许内存增加芯片。我们不能把带缓冲内存和无缓冲内存混为一谈，计算机内存管理器的设计中有规定内存中是否一定带或不带缓冲器。 Burst EDO RAM（ 简称BEDO，脉冲EDO 随机存取内存）:

EDO 内存可以在一个脉冲内处理4个内存地址。底板总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (和EDO 33MHz 和25MHz for Fast Page Mode相比). Burn-in（老化试验）:

这个过程主要是在集成电路上使用升高电压和温度，这样加速了芯片的隐藏故障。（若这些芯片比实际使用的芯片还早老化则算失败，若通过了则比我们所期望的还好。 Burst Mode （触发/突发模式）:

当处理器需要单个地址时就高速传输数据(一系列连续的地址) Bus（总线）:

计算机内的一个数据通道，包含CPU、内存和所有输入/输出装置连接的各种线路。 Bus Cycle （总线周期）:

A single transaction between main memory and the CPU. Byte（ 字节，由8位位组成）:

一个BYTE等于8个BIT。Byte是计算机程序的基本单位；几乎所有计算机性能的规范和调节都是用它来计算。参看 kilobytes和megabytes

CAS（列地址选通）:

告诉DRAM接受列地址的信号。同行地址信号一起使用来选择DRAM的一个位。 CACHE（快速存储器）:

用于存储进入信息，加速了后面进入的同样信息。主要用于处理器和存储器之间的信息交换。 Cache memory （缓存）:

又称缓冲RAM；在CPU与系统DRAM之间小而高速的存储设备。设计缓存是为处理器提供最常被请求的指令和数据。缓存速度大约比系统DRAM速度快3~5倍。 CHIP（芯片）:

支持CPU的一种微型芯片，通常包含若干反映处理器和其他部件之间信息传递的控制器 。 CSP（芯片封装）:

封装体在与电路板连接时，是以锡球为接脚使基板上的线路与电路板线路相接。 Composite :

苹果电脑公司对一种内存的称谓，这种内存用于旧技术中，包含了更多但比较低密度的芯片。 CPU（中央处理器）:

计算机中翻译命令和运行程序的最重要芯片。CPU是计算机系统中至关重要的芯片。 Credit card memory（信用卡内存）:

一种主要用于膝上型电脑的笔记本电脑的内存，信用卡内存在小因式中起重要作用，并由于与信用卡大小相似而得名。

DDR（双倍数据速率存储器） :

现有SDRAM的下一代，更为先进的加强了速度。这样，DDR允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，传输率为标准SDRAM内存带宽的两倍，DDR本质上将标准的SDRAM带宽加倍。DDR实际是在不增加时钟频率下将SDRAM内存速度加倍。 DIMM（双列直插式存储器模组）:

以金/锡线互连并带有存储设备的印刷电路板。DIMM与SIMM相似但也有很大的不同：SIMM在任意一面的金属线在电路上都是“系在一起”，而DIMM两面的线路在电路上是独立的。 DRAM（动态随机存取存储器）:

计算机经常使用的存储器之一。“动态”表示DRAMs需要经常刷新以保持存储的信息。

E2PROM（Electrically Erasable PROM，电可擦除只读存储器）

ECC（Error Correction Code，错误更正编码）:

一种检查DRAM中存储的完整数据的电子方法。ECC是比奇偶校验更精细的错误探测方法；它能探测多位错误也能定位、固定单独位错误。ECC通常在数据每个字节额外使用3个位(相对奇偶校验额外增加一位而言)。 EDO（扩充数据输出）:

它已代替FPM EDO内存的存在，在性能上更加比FPM EDO更加完善。 EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，扩展数据输出动态存储器）:

EDO的读取方式，缩短了等待输出地址的时间；它不必等数据读写操作完成，只要有效时

间一到就可输出下一个地址，从而提高了工作效率。 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）:

电可擦除可编程只读存储器，EEPROM与DRAM的区分不仅在数据的保存上，还在于工作电压不同。它的数据可擦除同时还可以再编程。 EPROM（Erasable PROM，可擦可编程只读存储器）

ESD（Electrostatic discharge， 静电释放）

ESD很容易破坏半导体产品。

FIT（Failures In Time，即时错误）

EOS（SIMM上的ECC）:

IBM设计的一种数据整合检查技术，在建立于SIMM上的ECC数据整合检查起重要作用。 Fast-Page Mode （快速页面模式）:

一种支持对DRAM连续访问的特性：在提供一次行地址以后，允许任意次对这些开放行的访问。 FPM DRAM （Fast Page Mode DRAM，快速翻页动态存储器）:

若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。 Flash Memory（闪存）:

闪存是一种稳定的存储设备，当断电后仍能保持数据。它与EPROM相似，不过它能直接用电擦除，而EPROM必须用紫外线照射擦除。闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。

GND（Ground， 接地）

Gigabit（千兆位）:

大约10亿比特：1比特x 1024(即1073741824比特)