GFET (Gate Field Emission Triode) 栅控式场发射三极管。

在真空微电子器件的研制过程中，几年来因受到器件寿命、工作电压等因素的困扰，致使此项研究在相当的一段时间内停步不前。为获得稳定的发射和长寿命工作，一般说来，器件仍需工作在较高的电压、较高的真空度下，而且还要进行特殊的工艺处理。所谓栅控式场发射三极管，是侧重研究栅极的设计和制造对器件性能的影响，如栅孔尺寸、栅极高度等。