简介

发展简史

简介

同轴纳米电缆是指直径为纳米级电缆，芯部通常为半导体或导体的纳米丝，外面包敷异质纳米壳体(导体、半导体或绝缘体)，外部的壳体和芯部的丝是共轴的。

发展简史

由于这类材料所具有的独特性能、丰富的科学内涵、广泛的应用前景以及在未来纳米结构器件中占有战略地位，因此近年来引起了人们的极大研究兴趣。1997年，法国科学家ColliexC等用石墨阴极与HfB阳极在N气氛中电弧放电，其中大部分产物为直径5—20nm的HfB颗粒，外层由5—10nm的石墨层组成。另一部分为外径4—12irm的管状结构，在这些管状结构中，大部分管的结构为C—BN—C石墨结构；小部分管的内部为BN，外层为石墨，这些由于在径向形成导体一绝缘体一导体的三明治结构，因此被称为同轴纳米电缆。与此同时，中科院固体物理所的MengGw等也用硅凝胶高温碳热还原方法合成出B—SiC／SiO同轴纳米电缆。并且还用Ta2O与蜂蜜在1800℃下反应合成出TaC／C(石墨)的超导同轴电缆。随后，ZhangY

等用激光烧蚀法合成出B—SiC／SiO／C(石墨)／BN—C（石墨)多层结构的同轴纳米电缆wuJill—Jen_1及其合作者热解醋酸锌而制得Zn／ZnO同轴纳米电缆；香港大学Quna Li等人则利用碳热部分还原法，以碳粉和硫化锌为原料获得了Zn／ZnS同轴纳米电缆；另外，GolbergD等通过纳米CN纳米管与氧化硼、氮气在高温下反应制得BN／B—C—N同轴纳米电缆。