负微分电阻效应，NDR effect（negative differential resistance effect）：

对于半导体而言，负微分电阻一般是指n型的GaAs 和 InP等双能能谷半导体中由于电子转移效应（Transferred-electr on effect）而产生的一种效果——电压增大、电流减小所呈现出的电阻。在负阻区，半导体中载流子浓度局部的微小涨落即可引起非平衡多数载流子的大量积累而产生空间电荷，这种现象就是负微分电阻效应。多数载流子完全积累（或完全消失）的平均时间称为介电弛豫时间，可表示为t=ε /σ=ε/qnμ；完全积累的多数载流子所存在的有效范围也就是所谓Debye屏蔽长度，可表示为L=kTε/q2n)1/2。当然，如果半导体样品非常均匀，没有任何载流子浓度的局部涨落，即使处在负电阻状态下，则也不会积累起空间电荷。

负微分电阻效应是体效应器件（Gunn二极管）工作的物理基础。

在n型的Si和Ge这些半导体中主要是一个导带底对导电起作用，不会出现负电阻，则不存在NDR效应。