基本参数：

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：37A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.55V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：560pF @ 10V

功率 - 最大：35W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：管件