| 释义 |
晶体管极性:P沟道 漏极电流, Id 最大值:-12A 电压, Vds 最大:200V 开态电阻, Rds(on):0.5ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:150W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247AC 针脚数:3 功率, Pd:150W 封装类型:TO-247AC 引脚节距:5.45mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds:200V 电压, Vds 典型值:-200V 电流, Id 连续:12A 电流, Idm 脉冲:48A 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.5ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V |