基本信息

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET

系列：QFET

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 4.5A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1030pF @ 25V

功率 - 最大：135W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 (直引线)

包装：管件