散弹噪声是由真空电子管和半导体器件中电子发射的不均匀性引起的。散弹噪声的物理性质可由图3-9-2所示的平行板二极管的热阴极电子发射来说明。在给定的温度下，二极管热阴极每秒发射的电子平均数目是常数，不过电子发射的实际数目随时间是变化的和不能预测的。这就是说，如果我们将时间轴分为许多等间隔的小区间，则每一小区间内电子发射数目不是常量而是随机变量。因此，发射电子所形成的电流并不是固定不变的，而是在一个平均值上起伏变化，如图3-9-3所示。

图3-9-2 平行板二级管热电子发射示意图

图3-9-3 二级管的总电流变化示意图

图3-9-3所示的总电流实际上是许多单个电子单独作用的总结果。由于从阴极发射的每一个电子可认为是独立出现的，且观察表明，每1安培的平均电流相当在1秒钟内通过约个电子，所以总电流便是相当多的独立小电流之和。于是，根据中心极限定理可知，总电流是一个高斯随机过程，也就是说，图3-9-3中的起伏电流（即散弹噪声）是一个高斯随机过程。

利用普通电子学的知识，还可以找到在温度限定下二极管的散弹噪声的功率谱密度。在非常宽的频率范围内（通常认为不超过100MHz），散弹噪声电流的功率谱密度等于一个恒值，其中，是平均电流值，是电子的电荷，。

肖特基（Schottky）于1918年证明散弹噪声具有白噪声性质，其电流噪声功率谱密度为S（f）=2qI，其中I为通过PN结的平均电流，q为电子的电荷量