2SC5200是东芝半导体公司推出的NPN型三重扩散硅晶体管。

2SC5200具备体积小、重量轻、耐震动、寿命长，耗电小五大优点。此外，在功率放大器运用方面具有独特的优势：一、高击穿电压最小值达230 V；二、适用于100W高保真音响放大器输出；三、性能兼容2SA1943，功能与2SA1943相辅相成。

相比传统的半导体电子管，2SC5200是新型的NPN型三重扩散硅晶体管，在安全性及可靠性方面有非常大的进步。2SC5200受温度影响比较大，储存的温度范围在55 °C 到 150°C之间，工作温度极限为 150°C。在不同的测试条件下，2SC5200表现出非常好的稳定性。当测试条件VCE = 5 V、IC = 1 A时，过渡频率为30 MHz；当测试条件VCB=10 V、IE=0时，过渡频率为1MHz且电极输出电容最大值达200 pF；当测试条件VCE=5 V、IC = 7 A时，基极发射极电压最大值达1.5V；当测试条件 IC=8 A、IB=0.8 A时，集电极发射极饱和电压为3.0 V。

2SC5200主要应用与一般电子和精密电子两大领域。一般电子运用包括计算机、办公设备、检测设备、工业机器人、家用电器等。精密电子应用涉及原子能控制仪表、太空船仪器、飞机、交通信号控制仪器仪表、医疗器械及其它各类安全装置。

基本参数

最大功率 ：150W

安装类型 ：通孔

最小直流电流增益 (hFE) ：80 @ 1A, 5V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 800mA, 8A

晶体管类型 ：NPN

转换频率 ：30MHz

电压 - 集电极发射极击穿（最大） ：230V

集电极电流 ：15A

应用范围 ：放大

功率特性 ：中功率

频率特性 ：中频

极性 ：NPN型

结构 ：点接触型

材料 ：硅(Si)