词条 | MIS器件 |
释义 | 由金属(M)-绝缘体(I)-半导体(S)组成的体系称为MIS结构,以这种结构形成的器件称为MIS器件(MIS二极管)。如果其中的绝缘体是SiO2,则相应地为MOS结构和MOS二极管。 (一)MIS器件的基本功能: MIS器件的功能主要决定于其中绝缘体层的厚度: (1)假若绝缘体层的厚度足够大(对于绝缘体层是SiO2层的情况,大于5nm),则基本上不导电,这时即为MIS电容器; (2)假若绝缘体层的厚度足够薄(对于绝缘体层是SiO2层的情况,大约为1nm),则绝缘体基本上不起阻挡导电的作用(阻抗极小),这时即为Schottky二极管; (3)假若绝缘体层的厚度不是很薄、也不是很厚(对于绝缘体层是SiO2层的情况,大约为1nm~5nm),则这时载流子有较大的几率通过隧道效应而穿过绝缘体层,这种结构的器件即称为MIS隧道二极管。 (二)MIS隧道器件: 由于MIS隧道二极管的独特性能,具有许多用途,现在已经发展成了一大族的器件(MIS隧道器件),如MIS太阳电池、MIS开关管、MIM隧道二极管、MIMIM隧道晶体管等。 |
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