余辉效应是入射光引起的半导体发光现象，而发光二极管则是电场引起的半导体发光现象。余辉效应和光致电效应有着密不可分的关系。光致电效应是指价带的电子受到入射光子的激发后，会跃过禁带进入导带。如果导带上的这些被激发的电子又跃迁回到价带时，会以放出光子的形式来释放能量，这就是光致电效应，也称：荧光效应。

光致发光现象不会再金属中产生。因为金属中，价带中没有充满电子，低能级的电子只会激发到同一价带的高能级。在同一价带内，电子从高能级跃迁回到低能级，所释放的能量太小，产生光子的波太长，远远超过可见光的波长。在某些陶瓷和半导体中，价带和导带之间的禁带宽度不大不小，所以被激发的电子从导带跃过禁带回到价带是释放的光子波长刚好在可见光波段。这样的材料被称为：荧光材料。

余辉现象

如果荧光材料中包含一些微量杂质，且这些杂质的能级位于禁带内，相当于陷阱能级，

从价带被激发的电子进入导带后，又会掉入这些陷阱能级。因为这些被陷阱能级所捕获的激发电子必须首先脱离陷阱能级进入导带后才能跃迁回到价带，所以它们被射入光子激发后，需要延迟一段时间才会发光，出现了所谓的余辉现象。