徐稼迟 男，1940年出生，上海人。高级工程师，民盟盟员。1963年毕业于清华大学。1992年至今任中山集团系统工程公司副总经理。主要业绩：1963年毕业后分配到国防科委并参军，从事军事科学研究。1963-1965年参加了放射性元素示踪原子法测定半导体硅中磷的掺杂分布实验。1965年所在部队集体转业，1965-1968年用自己改进的方法测定了高纯硅中的微量杂质元素。1969-1971年负责重点工程所需的“PIN管的反外延片生长”，该项目在1978年获得全国科学大会奖。1970年在硅反外延工艺中，用SiC包石墨工艺的技术革新成功，获得国防科委通令嘉奖。1980年参与高压单晶炉的研制，负责单晶炉的工艺设计，高压单晶炉研制成功后，生长出磷化铟单晶，该项目获得南京市科技进步二等奖、江苏省三等奖。1986年被聘为高级工程师，曾参与指导两名硕士研究生。发表各种学术论文40多篇，其中1981年在日本召开的GaAs及其有关化合物材料会议上发表了《磷化铟单晶高压直接合成》的报告。1984年任大型工具书《电子工业生产技术手册》半导体卷编辑部负责人，半导体材料篇的副主编，该书于1986年出版。1989年转入经营管理工作，任中山集团电子元器件公司常务副总经理。