磷锑化铝镓;gallium aluminum antimonide phosphide

分子式：InxAl1-xSbyP1-y；0≤x≤1；0≤y≤1

性质：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。