非晶半导体材料 【amorphous semiconductor】【】 具有半导体性质的非晶态材料。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应,使控制电导和制造PN结成为可能。理论方面，P.W.安德森和N.F. 莫脱建立了非晶态半导体的电子理论。非晶态材料是半导体材料的重要组成部分，主要包括两大类：硫系玻璃和四面体键非晶态半导体。非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带，但非晶态非晶态半导体在整体上分子排列无序，具有单晶体的微观结构。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件，在技术领域中的应用存在着很大的潜力。非晶硫已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。