简述

概念

强反型状态

简述

在通常的MOS器件中，反型层构成导电沟道，是器件导通的原因。表面反型状态对MOS器件至关重要。

概念

在反型状态下，反型载流子主要分布在紧靠表面的薄层内，其厚度约为10nm，比下面的耗尽层薄得多。一般假定反型层是一个厚度可以忽略的薄层，这一假设称为电荷薄层近似，全部降落在其下的耗尽层上。

强反型状态

半导体表面的少数载流子浓度等于体内的多数载流子浓度时，半导体表面开始强反型。

强反型时，表面势近似为不变的数值，耗尽层电荷及耗尽层厚度有极大值，此时过剩栅压只是形成反型层电荷。