基本参数：

PZT651T1G，采用SOT-223/–55 to +150封装方式。

集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：60

集电极最大电流Ic(max)(mA)：2000

直流电流增益hFE最小值(dB)：75

封装/温度(℃)：SOT-223/–55 to +150

晶体管类型：NPN

电流-集电极(Ic)（最大）：2A

电压-集电极发射极击穿（最大）：60V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA, 2A

功率-最大：800mW

工作温度：150 ° C（最大）

频率-转换：75MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT223

无铅状态：无铅

极性：N沟道

包装：剪切带(CT)