基本参数：

类别：半导体模块

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 毫欧 @ 500mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：660nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：22000pF @ 25V

功率 - 最大：700W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227, miniBLOC

包装：管件