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词条 HGTG30N60A4
释义

基本信息

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

封装 / 箱体: TO-247

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极击穿电压: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.8 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

集电极最大连续电流 Ic: 75 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

功率耗散: 463 W

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更新时间:2025/2/27 14:28:57