词条 | HGTG30N60A4 |
释义 | 基本信息制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 封装 / 箱体: TO-247 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极击穿电压: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 集电极最大连续电流 Ic: 75 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 463 W |
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