基本参数：

特征：

基本参数：

种类：结型(JFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：NF/音频(低频)

封装外形：P-DIT/塑料双列直插

材料：IGBT绝缘栅比极

开启电压：1200（V）

夹断电压：1200（V）

低频跨导：1（μS）

极间电容：1（pF）

低频噪声系数：1（dB）

最大漏极电流：11（mA）

最大耗散功率：11（mW）

功率耗散: 298 W

封装: Tube

配置: Single

封装 / 箱体: TO-247

特征：

3,1200 V,TC = 25度

短路评级

低传导损失

雪崩额定

热阻抗香料模型

温度补偿模型

为焊接表面贴装元件的PC板