| 词条 | 半导体器件物理与工艺 |
| 释义 | 图书信息书名：半导体器件物理与工艺 出版社: 苏州大学出版社; 第1版 (2003年4月1日) 平装: 543页 开本: 16开 isbn: 7810900153 条形码: 9787810900157 商品尺寸: 25.8 x 18.4 x 2.4 cm 商品重量: 1.1 kg 品牌: 苏州大学出版社 内容简介《半导体器件物理与工艺》(第2版)分为三个部分：第1部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第3部分（第10-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤，包含理论和实际情况，并特别强调其在集成电路土的压用。 作者简介本书由[美国]施敏著 赵鹤鸣 钱敏 黄秋萍 译。 施敏（Simon M·Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业， 台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。 施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。 施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。 施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。 目录第1章 简介 1.1 半导体器件 1.2 半导体工艺技术 总结 参考文献 第1部分 半导体物理第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 2.1 半导体材料 2.2 基本晶体结构 2.3 基本晶体生长技术 2.4 共价健 2.5 能带 2.6 本征载流子浓度 2.7 施主与受主 总结 参考文献 习题 第3章 载流子输运现象 3.1 载流子漂移 3.2 载流子扩散 3.3 产生与复合过程 3.4 连续性方程式 3.5 热电子发射过程 3.6 隧穿过程 3.7 强电场效应 总结 参考文献 习题 第2部 分半导体器件第4章 p-n结 4.1 基本工艺步骤 4.2 热平衡状态 4.3 耗尽区 4.4 耗尽层势垒电容 4.5 电流-电压特性 4.6 电荷储存与暂态响应 4.7 结击穿 总结 参考文献 习题 第5章 双极型晶体管及相关器件 5.1 晶体管的工作原理 5.2 双极型晶体管的静态特性 5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 5.4 异质结及相关器件 5.5 可控硅器件及相关功率器件 总结 参考文献 习题 第6章 MOSFET及相关器件 6.1 MOS二极管 6.2 MOSFE2、基本原理 6.3 小尺寸MOSFET 6.4 CMOS与双极型CMOS（BiCMOS） 6.5 绝缘层上MOSFET（SOI） 6.6 MOS存储器结构 6.7 功率MOSFET 总结 参考文献 习题 第7章 光电器件 7.1 辐射跃迁与光的吸收 7.2 发光二极管 7.3 半导体激光 7.4 光探测器 7.5 太阳能电池 总结 参考文献 习题 第8章 其他半导体器件 8.1 金半接触 8.2 MESFET 8.3 MODFET的基本原理 8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件 总结 参考文献 习题 第3部分 半导体工艺第9章 集成电路工艺 9.1 基本半导体工艺技术 9.2 集成工艺 9.3 微机电系统 9.4 微电子器件的挑战 总结 参考文献 习题 习题参考答案 附录A 符号表 附录B 国际单位制（SI Units） 附录C 单位词头 附录D 物理常数 附录E 300K时重要半导体材料的特性 附录F 300K时硅和砷化镓的特性 |
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