简介

学术成就

简介

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室始建于2004年，依托：西安电子科技大学。

学术成就

经过3年边建设边开放，取得了以下显著成就：实验室在宽禁带半导体材料生长、表征、改性、宽禁带半导体器件等方面成绩显著。先后承担“973”等重要科研项目近40项，研究经费8000多万元，获得省部级科技奖5项，获国家发明专利5项，SCI/EI/ISTP收录学术论文376篇次。建立了GaN和SiC电子材料与器件的研究平台，部分研究成果达到目前国际先进水平。在人才建设方面，形成了具有较高学术水平、年龄结构合理的研究队伍和学术梯队。博士比例达到了61%。累计共投入建设经费3500万元，建设实验室面积3600 m2，其中净化实验室总面积达1200 m2。同时，实验室与国外相关实验室和研究机构建立并发展了广泛的合作关系。重点实验室正式开放以后，将为进一步推动我国半导体基础研究向国际先进行列迈进，加速我国半导体产业的发展，把我校建设成为国际知名国内一流的研究型大学做出应有的贡献。