用耗尽型MOS晶体管作负载管，用增强型MOS晶体管作驱动管组成反相器，并以这种反相器作为基本单元而构成的各种集成电路。该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型MOS 晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／D MOS 电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体 ）大规模集成电路中比较好的两种电路形式 ，各具特点。CMOS电路的功耗比E／D MOS电路约低两个数量级 ，而E／D MOS电路的集成密度比CMOS电路约提高一倍，并且制造工艺简单。