人物简介(基本简介 任职简介)

科研简介(主要研究方向 研究项目 发表论文 发明专利 获奖情况)

人物简介

基本简介

男，1965年2月生。1985年7月毕业于南开大学物理系物理专业，获理学学士学位，1990年7月毕业于中国科学院电子学研究所电子物理与器件专业，获工学硕士学位，2001年6月毕业于北京工业大学物理系凝聚态物理专业，获理学博士学位。

任职简介

2004年5月至2005年5月在英国诺丁汉大学物理系作访问学者。现为北京工业大学应用数理学院教授。曾参加多项国家自然科学基金和北京市自然科学基金课题的研究，作为课题组主要成员参加973项目1项。目前主持国家自然科学基金1项，北京市优秀人才资助项目1项。在国内外学术刊物上发表论文40余篇，作为第2作者编写专著2部。

科研简介

主要研究方向

1 半导体光电（薄膜）材料与器件：宽带隙半导体材料与器件、半导体光伏材料与器件

2 光电信息材料物理：半导体低维纳米材料的制备、器件应用及有关物理问题

研究项目

北京市自然科学基金资助项目：n-型立方氮化硼薄膜/p-型金刚石薄膜异质结的研究（2982013）. 1998年09月至2001年08月；项目参加人

国家自然科学基金资助项目：立方氮化硼薄膜的织构生长和掺杂特性研究（19874007）. 1999年01月至2001年12 月；项目参加人

国家自然科学基金资助项目：n-型立方氮化硼薄膜/p-型金刚石薄膜异质结及薄膜器件研制（69876003）. 1999年01月至2001年12 月；项目参加人

北京市青年骨干基金资助项目：立方氮化硼薄膜的掺杂研究（99060201）. 1999年09月至2001年08月，项目负责人

国家科技部973项目：非晶硅退化机理与高速稳定生长硅基薄膜材料研究（G2000028201-1）. 2000年09月至2005年08月；项目参加人

国家自然科学基金资助项目：立方氮化硼薄膜的p型掺杂和薄膜pn结的研制（60376007）. 2004年1月至2006年12月；项目负责人

北京市优秀人才资助项目：有机半导体薄膜的制备和特性研究（20051D0501521）. 2006年01月至2007年12月；项目负责人

北京市自然科学基金资助项目：宽带隙立方氮化硼薄膜肖特基二极管的制备研究（4072007）. 2007年1月至2009年12月；项目负责人

北京市人才强教中青年骨干教师项目：2007年1月至2009年12月；项目负责人

北京市教委科研计划面上项目：宽带隙立方氮化硼金属-半导体场效应管的研究（KM200910005018）. 2009年1月至2011年12月；项目负责人

国家自然科学基金资助项目：宽带隙立方氮化硼薄膜肖特基接触和场效应管的研究（60876006）. 2009年1月至2011年12月；项目负责人

北京市自然科学基金资助项目：有机小分子红荧烯/富勒烯薄膜异质结及光伏特性研究（4102014）. 2010年1月至2012年12月；项目负责人。

发表论文

邓金祥，王波，严辉，陈光华，“宽带隙立方氮化硼薄膜的制备”，半导体学报，2001, 22,66~68

邓金祥，陈光华，任卫，宋雪梅，王波，严辉，“立方氮化硼薄膜的制备和形貌分析”，“金属功能材料”，2001, 8, 125~127

陈光华，邓金祥，张生俊，宋雪梅，王波，严辉，“衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响”，物理学报，2001, 50, 83~87

张生俊，陈光华，邓金祥，邵乐喜，“几种新型超硬薄膜的研究进展”，物理，2001, 30, 622~627

邓金祥，陈光华，严辉，宋雪梅，王 波，“工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响”，北京工业大学学报，2002，28，378~380

陈光华，邓金祥，宋雪梅，李茂登，于春娜，冯贞健，“cBN/Si N-p 异质结的电学性质研究”，固态电子学研究与进展，2002，22，483~486

宋雪梅，宋到颖，陈蔚中，卢奇力，冯贞健，鲍旭红，邓金祥，陈光华，“MWECR CVD 法高速沉积a-Si:H薄膜的红外光谱研究”，人工晶体学报，2002，31（3），321~324

刘毅，宋雪梅，阴生毅，吴越颖，胡耀辉，邓金祥，陈光华，“MWECR CVD氢化非晶硅薄膜的结构研究”， áá21世纪太阳能新技术（2003年中国太阳能学会学术年会论文集）ññ，上海交大出版社，2003年9月，P220~223

胡耀辉，陈光华，吴越颖，阴生毅，高卓，王青，宋雪梅，邓金祥，“氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量”，中国科学（G），2004，34（3），P279

阴生毅，陈光华，吴越颖，王青，刘毅，张文理，宋雪梅，邓金祥，“.一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备”，2004，半导体学报，25（5），530

李瀛，刘毅，阴生毅，胡跃辉，宋雪梅，邓金祥，朱秀红，陈光华，“微波ECR CVD 法制备a-Si:H膜的氢含量研究”，功能材料增刊，2004，35，3148

荣延栋，阴生毅，胡跃辉，吴越颖，朱秀红，周怀恩，张文理，邓金祥，陈光华，“热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究”，功能材料增刊，2004，35，3187

邓金祥，陈浩，陈光华，刘钧锴，“立方氮化硼薄膜表面的XPS研究”，功能材料增刊，2004，35，3187

陈光华，朱秀红，邓金祥，刘钧锴，陈浩，“高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展”，物理，2004, 33（11），823

陈浩，邓金祥，陈光华，刘钧锴，田凌，“衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响”，半导体学报，2005，26（12），2369

何斌，陈光华，朱秀红，张文理，丁毅，马占杰，郜志华，宋雪梅，邓金祥，“Preparation of hydrogenated microcrystalline silicon films with hot-wire-assisted MWECD-CVD system”,Chinese Physics, 2006,15(04),866 (SCI)

马占洁，陈光华，何斌，刘国汉，朱秀红，张文理，李志中，郜志华，宋雪梅，邓金祥，“影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素”，真空科学与技术，2006，26（增刊），98

刘钧锴，邓金祥，陈浩，田凌，陈光华，c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究，真空科学与技术学报，2006，26（增刊），57

陈浩，邓金祥，陈光华，“n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性”，真空科学与技术学报，2006，26（增刊），61

邓金祥，陈光华，P H Beton，“并五苯场效应管的电学特性”，半导体学报，2006，27（增刊），214-217

邓金祥，陈 浩， 刘钧锴，田凌，张岩，周涛，何斌，陈光华，王波，严辉，“氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂研究”，半导体学报，2006，27（增刊），127-130

郜志华，陈光华，李志中，邓金祥，丁毅，“MW-ECR CVD制备立方氮化硼薄膜”，功能材料，2006，37（增刊），208

李志中，陈光华，何斌，郜志华，张晓康，丁毅，张岩，周涛，邓金祥，“p-c-BN/p-Si薄膜同型异质结的电学性质”，功能材料，2006，37（增刊），213

周涛，邓金祥，陈浩，张岩，陈光华，杨萍，郝伟，侯碧辉，“立方氮化硼薄膜的光学性质”，功能材料，2006，37（增刊），273

张岩，邓金祥，周涛，陈浩，李志中，何斌，陈光华，王丽香，郝伟，侯碧辉，“立方氮化硼薄膜的掺杂和电学性质研究”，功能材料，2006，37（增刊），279

田凌，丁毅，陈浩，刘钧锴，邓金祥，贺德衍，陈光华，“用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜”，物理学报，2006，55（10），5441

张晓康，邓金祥，王瑶，陈光华，郝伟，侯碧辉，贺德衍，“氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究”，功能材料，2007，38（增刊），3901

陈浩，邓金祥，刘钧锴，周涛，张岩，陈光华，“立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究”，物理学报，2007，56（6），383

何斌，陈光华，郜志华，邓金祥，张文军，“立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究”，人工晶体学报，2008，37（2），504

邓金祥,王瑶,张晓康,周涛,汪旭洋,姚倩,陈光华，“氮化硼薄膜的红外光谱研究”，光散射学报,2008,20(1):56-59

邓金祥,汪旭洋,姚 倩,周 涛,张晓康，“立方氮化硼薄膜的光学带隙”，物理学报,2008,57(10):6631-6635

张晓康，邓金祥，姚倩，汪旭洋，陈光华，贺德衍，“氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究”，光谱学与光谱分析，2008，28（10）（增刊），29-30

姚倩，邓金祥，张晓康，汪旭洋，杨萍，陈光华，“射频溅射立方氮化硼薄膜的光谱研究”，光谱学与光谱分析，2008，28（10）（增刊），437-438

汪旭洋，邓金祥，张晓康，姚倩，王玲，“电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质”，光谱学与光谱分析，2008，28（10）（增刊），439-410

汪旭洋，邓金祥，赵卫平，杨冰，郭清秀，杨萍，“电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析”，功能材料，2009，40（增刊）：783-785

姚倩，邓金祥，汪旭洋，杨萍，陈光华，“宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究”，第十七届全国半导体物理学术会议论文集，长春，2009年8月， P103

邓金祥, 郭清秀, 崔　敏, 赵卫平, 杨　冰, 杨　萍，“电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究”，光散射学报，2009，21（4）：309-311

发明专利

（1）邓金祥，陈光华，何斌，张晓康，陈浩，“立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法”（专利号：ZL200710178682.5）

（2）邓金祥，张晓康，陈光华，“一种立方氮化硼薄膜的制备方法”（专利号：ZL200710304789.x）

获奖情况

（1）2000年获北京工业大学优秀教学成果二等奖（第3获奖人）

（2）2008年获北京工业大学教学优秀奖

（3）2008年获北京工业大学优秀教育教学成果一等奖（第1获奖人）