概述

主要贡献

概述

邢益荣，男，1938年9月出生，海南文昌人。研究员，1961年毕业于中山大学物理系。现任职于中国科学院半导体研究所和中国科学院表面物理国家重点实验室。中国真空学会会员。

主要贡献

主要从事半导体物理和半导体器件物理的研究工作。在半导体表面和界面物理、半导体高密勒指数晶面的性质、半导体异质结构材料利微波半导体器件等方面有较深入的研究。

80年代以来，主持了"半导体高密勒指数晶面的性质"和"半导体高指数晶面用于外延生长和器件制作"等多项国家自然科学基金研究项目。

曾获得重要研究成果和奖励多项。

主要译著有《微波半导体器件》（科学出版社 1976年出版）等；

发表论文约 100篇，主要有硅（113）晶面的表面原子相变和利用圆柱状样品研究半导体的表面性质等。