研究室简介

学科方向

研究室简介

微波器件与集成电路研究室是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，承担了多项国家“863”、“973”、自然科学基金项目和中国科学院创新项目研究，取得了一系列具有影响力的研究成果。研究室下设“4英寸化合物半导体工艺线”、“微波单片集成电路（MMIC）设计和测试”、“微波模块研究”、“光电模块研究”四个科研平台。成熟的4英寸GaAs器件和电路工艺、2英寸InP器件和电路及GaN HEMTs成套工艺流程为高频大功率微波器件研制提供了可靠的技术保障，完备的微波电路设计环境和高频测试系统为微波毫米波集成电路设计创造了良好的科研环境；成套的模块制作设备，为开展微波射频模块研制奠定了基础。研究室目前的主要研究方向包括：GaAs基和InP基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率GaN基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光电器件与高密度集成技术。

学科方向

GaAs器件与电路研究（HEMT, HBT）

基于国内首条4英寸化合物研制工艺线开展GaAs器件工艺、新结构器件、工艺和器件建模、电路研制等研究，成功地开发出完备的GaAs HEMT和HBT整套工艺流程，并研制成功fT>872GHz的0.1μm T型栅PHEMT、fT>92GHz的2μm HBT、增强型HEMT等器件和2.5GHz低噪声放大器、2.5-10GHz跨阻放大器、10Gb/s GaAs PHEMT光调制器驱动电路及10Gb/s InGaP/GaAs HBT光调制器驱动器等电路。

毫米波InP基器件与电路研究

主要从事毫米波超低噪声InP 基HEMT器件研究、特殊结构InP 基PHEMT和HBT器件研发、InP基MMIC设计技术与制作工艺研究，现已建立了纳米栅InP基HEMT工艺流程。

宽禁带化合物半导体（GaN）器件与电路研究

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料体系的代表，由于其优良高温及高频特性已成为目前国际上研究的热点。近年来与中科院半导体所和物理所合作开展GaN材料、器件、电路和理论等方面研究----采用国产材料研制出国内领先的AlGaN/ GaN HEMT器件：Imax = 0.92A/mm(Vgs=1V)，gm-extrinsic= 184mS/mm fT = 18.76GHz fmax>25GHz，大尺寸的GaN功率器件：Imax = 1.42A(Vgs=0.5V) Wgate = 1.6mm。目前正在开展C-X波段GaN 功率器件和MMIC研究。

微波单片集成电路（MMIC）设计和测试技术

主要开展GaAs基微波毫米波低噪声放大电路、功率放大电路、宽频带放大电路、激光调制驱动电路等多种单片集成电路（MMIC）的设计与测试。

新一代模块技术研究

采用自主开发的无源耦合和准无源耦合技术实现光电模块的组装，目前正致力于新一代光电发射模块、微波混合集成电路模块研究。