半导体中的载流子寿命就是非平衡载流子存在的平均有效时间，一般是指一种载流子（非平衡少数载流子）的寿命。但是，若在大注入情况下（例如大功率半导体器件的工作中），电子和空穴的浓度相当，其作用也都同等重要，因此载流子的扩散系数和寿命就都需要采用另外等效的相关物理量来表示，这就是所谓双极扩散系数和双极寿命。

对于轻掺杂半导体，双极扩散系数是 Da = (n + p) / [ (n/Dp) + (p/Dn) ] ，双极寿命是 τa = -Δp / U = -Δn / U 。

在大注入极限时 Da = 2 Dn Dp / (Dn + Dp) = 2 Dn / (1+ b) , τa = τn +τp 。特别，对Si：b≡μn /μp = 3，Da = 1.5 Dp = 0.5 Dn 。式中的τn和τp分别是电子和空穴的寿命，Dn和Dp 分别是电子和空穴的扩散系数。