(1918～1980)

邱永喜。祖籍南京，出生于湖北大冶一工人家庭。在下陆小学上学时，因家庭困难，时读时辍，但他勤奋好学，立志成为科学家。由于成绩优异，获得 武昌博文中学、华中大学的奖学金，并于1942年7月毕业于华中大学物理系。1942年至1947年任武昌博文中学教员兼任教务主任、训导主任。1947年6月获得中英文化协会研究生奖学金，赴英国剑桥大学留学，就读于剑桥大学威斯理宗教学院。不到半年即放弃学习神学，到唐宁学院师从世界著名物理学家、诺贝尔奖金获得者布拉格(L?Bragg)教授，主攻晶体物理和固体物理。1949年获得剑桥大学荣誉硕士学位。该校杜罗学院院长杰姆士多次邀邱到该院任教，他拒绝了校方的邀请和朋友的挽留，克服困难，于1949年9月返回祖国。

1949年10月至1951年7月在武昌博文中学任教，担任代理校长并兼任华中大学物理系量子力学、化学系物理化学课程的教学工作。1953年至1980年任华中师范学院物理系副主任、主任，1978年晋升为教授。曾任华中师范学院院务委员会委员，九三学社武汉分社第二届委员会委员、第三届常委，武汉市第五届人大代表，湖北省第二届政协委员，湖北省暨武汉市物理学会副理事长、固体物理专业委员会主任委员。1978年主持翻译美国70年代有重要影响的改革教材《中学物理教程》(《The Project Physics Gourse》)，最先介绍美国中学物理教学改革情况，对全国中学物理教学起到了积极作用。

邱为固体物理专家，50年代即开始半导体光电池的研究。1960年指导中南地区半导体大会战，研制Ge隧道二极管，半年完成，达到当时国际先进水平。1960～1962年，指导建立华中师范学院物理系半导体材料和器件研究室，开展Ge的提纯和晶体三极管的研究。1966年指导建成武汉半导体二厂和沙市晶体管厂，70年代又指导华中师范学院半导体厂研制生产了3CT50

—500A大功率可控硅整流器件，为发展湖北省的半导体工业奠定了基础。邱多次被评为学校先进工作者。1960年被评为湖北省劳动模范，湖北省文教战线先进工作者，受到毛泽东主席的接见。

1979年他患癌症期间，坚持为青年教师上课，院、系领导劝他休息，他说：“如果不上完这门课，我临终时会感到痛苦的”。病重期间，仍然策划和指导开展薄膜物理与表面物理的研究工作，病痛使他无法翻身，但仍然坚持让教师口述翻译的论文，并用微弱的声音一一给予纠正。