刘卫丽，女，1975年6月生，博士，中共党员，中科院上海微系统所研究员，博士生导师，支部书记。现为全国纳米标准技术委员会微纳加工技术标准化工作组副秘书长。 2002年获中科院上海微系统所微电子学与固体电子学博士学位。2001.7-2002.7及2004.3-2004.7期间作为访问学者赴香港城市大学和香港理工大学进行合作研究。

主要从事SOI新材料和器件、纳米电子材料和器件的研究，在SOI方面，进行了SOI创新技术研究，突破4英寸SOI制备的关键技术；深入研究多孔硅外延技术，成功制备出ELTRAN SOI新材料，为解决常规SOI MOS器件的自加热效应的难题，创造性地研究成功以AlN、DLC为埋层的SOI新结构，并以SOI技术研究成功绝缘层上SiGe（SGOI），并在此基础上研制出高质量应变硅材料。同时研究了纳米浮栅存储器和相变存储器，创新性地将埋嵌于HfO2、HfAlO等高k介质材料中纳米Ge晶应用于纳米浮栅存储器，并在开辟C-RAM新研究方向做了大量的工作。近年来，先后在“Applied Physics Letters”等国内外刊物发表一百多篇，其中SCI论文60余篇，申请发明专利20项，其中授权7项。现主持国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关项目等。2004年获上海市青年科技启明星、中国科学院优秀博士学位论文，2005年获上海市科技进步一等奖（排名第11），2006年获国家科技进步一等奖（排名第10），2007年获中科院杰出科技成就奖（排名第10）、上海市青年科技启明星跟踪计划。