高密度集成电路封装技术国家工程实验室于2009年2月，经国家发改委批准，江苏长电科技股份公司、中科院微电子研究所、清华大学微电子所、深圳先进技术研究院、深南电路有限公司等五家单位共同组建了我国第一家“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”。实验室于2009年6月21日正式启动。

该国家工程实验室将为我国先进电子封装技术的产业化提供核心、共性技术支撑，提供企业所需要的产前核心技术、专利与人才培养，提高自主创新的核心竞争力，为我国封装产业的发展和产业升级提供引领和带动作用；实验室的目标是在若干先进封装核心技术和关键工艺方面取得突破，接近或达到世界先进水平。

实验室采用产学研结合的合作形式，在运作过程中以企业为中心、以市场为导向，围绕企业和市场需求发挥实验室各组成单位的优势：前瞻性的研究由先进院承担，可靠性研究由清华大学承担，基础材料的研究工作由深南电路承担，长电科技则承担项目产业化研究工作。

针对行业发展趋势和企业需求，实验室全面展开开展焊球阵列封装（BGA）、倒装芯片封装（FC），芯片尺寸封装（CSP）、系统级封装（SiP）等新型封装技术的工程化研究，以及面向系统级封装的纳米复合电介质、磁介质和埋入式的电容、电感、电阻，以及纳米改性的超薄封装基板材料等的开发与应用。在埋容方面，在铜箔上成功沉积无裂纹、无剥落、结晶良好的高介电纯无机薄膜。