感应放电有时候也称为 H 型放电，驱动场是方位场，这样导致线圈内的磁通量发生变化。在放电管的内部或外部缠绕感应绕圈，在高频电流经过线圈时，通过电磁感应原理在放电管中形成放电电流。从电学角度看，等离子体对激励线圈来说是单匝的次级线圈，线圈通过适当的阻抗匹配连接到功率源，吸收能量来维持放电。因此考虑放电的能量传输可以采用变压器模型来近似，等离子体产生闭合的电流可以看作变压器的次级线圈，而初级线圈可以放在等离子体中间或者放在等离子体的周围。这样的放电被称为“感应耦合”（ICD），“感应灯”、“螺红管电场”（SEF）和“无散场度”等。这样放电的灯管可以设计成很多形状，根据磁芯线圈的组成和结构可以分为内置式和外置式两种。在这样的放电中只要提供足够的功率来维持 H 型放电，它可以在比较低的频率下就得到足够的耦合效率，因此可以得到比较理想的发光效率。目前，感应放电可以实现的功率范围为10——1000W，放电频率在50kHz——100MHz之间。在实际的研究中还发现，这样的设计相对比较简单，而且电磁干扰比较小。另外，可以采用相对较低的频率，所以可以降低镇流器的电子元件成本。