冯毓材 男，1933年生，浙江人。1961年毕业于西安交通大学动力系，空间科学与应用研究中心研究员。主要成果“表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源”，获实用新型专利。用于材料大面积表面改性，分三型号，分获科学院科技进步二等奖、一等获及国家级成果奖；“材料表面改性用电子束蒸发金属离子源”获国家发明专利。研究的“DR-MI-1型双束动态混合及注入机”，获国家级成果奖；用于材料离子注入及动态共混；“GKQF-1型高能强流聚焦离子源”，为国家级成果，用于高速溅射镀膜；“研制的6厘米辅助镀膜用离子源”，为国家级成果，获中科院科技进步三等奖。现正从事材料表面改性及各种离子源的设计与研究。