倒装阱：利用高能的离子注入，不经过扩散，直接在硅片上的某一深度上形成杂质分布。

倒装阱的特点：不同阱之间横向扩散少，阱表面浓度较低，有利于器件特性的改善。

补充：CMOS是大规模集成电路的一般选择，而CMOS中包含PMOS和NMOS两种参杂导电类型不同的结构。PMOS的衬底需要是N型的，NMOS的衬底需要是P型的。在硅衬底上所形成的不同类型的衬底称为阱。阱由离子注入和扩散形成，参杂N型称为N阱，参杂P型称为P阱。在同一硅片上形成P阱和N阱称为双阱，（Twin－well）。