基本简介

内容简介

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基本简介

作　者：窦振中 编著

出 版 社：北京航空航天大学出版社

出版时间：1998-4-1

版　次：1版2次

页　数：534

字　数：912000

印刷时间：2002-2-1

纸　张：胶版纸

I S B N：9787810127264

包　装：平装

内容简介

本书是一本较全面介绍各种存储器应用的实用手册。其中包括：各种静态读写存储器SRAM、动态读写存储器DRAM、伪静态读写存储器PSRAM、一次性编程只读存储器OTPROM、可擦写只读存储器EPROM、可电擦写只读存储器DDPROM、快擦写存储器Flash Memory、非易失性静态读写存储器NVSRAM、新型非易失性铁电存储器FRAM、各种多端口读写存储器；另个还介绍了用于掉电数据保护的存储器插座和各种含片内存储器的微控制器最后介绍一系列典型而实用的存储器应用技术。

本书可作为计算机、电子产品、仪器仪表、家用电器等工程技术人员设计和维修，以及大专院校师生用于教学的存储器应用参考书和工具书。

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前言

绪论

使用符号说明

使用略缩语说明

第一章 易失性存储器

1.1 静态读写存储器SRAM1

1.1.1 16Kb SRAM系列

1.1.2 64Kb SRAM系列

1.1.3 72 Kb SRAM系列

1.1.4 256Kb SRAM系列

1.1.5 1Mb SRAM系列

1.1.6 静态读写存储器SRAM器件索引

1.2 伪静态读写存储器PSRAM

1.2.1 256Kb CMOS 28脚伪SRAM(32K×8位)：65256

1.2.2 512Kb CMOS 32脚伪SRAM(64K×8位)：5864

1.2.3 1Kb CMOS 32脚伪SRAM(128K×8位)：658128

1.2.4 4Kb CMOS 32脚伪SRAM(512K×8位)：58512

1.2.5 伪静态读写存储器PSRAM器件索引

1.3 动态读写存储器DRAM

1.3.1 动态读写存储器技术的发展

1.3.2 DRAM的工作原理

1.3.3 1Mb DSRAM系列

1.3.4 4Mb dsram系列

1.3.5 16Mb DRAM系列

1.3.6 动态读写存储器DRAM器件索引

第二章 非易失性存储器

2.1 可紫外线擦除可编程只读存储器DPROM和一次性编程ROM

2.1.2 16Kb EPROM/PROM系列

2.1.2 32Kb EPROM/PROM系列

……

第三章 多端口读写存储器MPRAM

第四章 内嵌电池掉电自保护存储器插座

第五章 微控制器片存储器

第六章 存储器应用技术

参考文献

附录 国内外生产半导体存储器器件公司和代理商名录