戴显英，男，出生于1961年，是西安电子科技大学微电子学院硕士生导师，研究方向为新型半导体器件与集成电路。

简 介：1961年出生于陕西省西安市，籍贯四川省成都市。1982年毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学）化学师资班，现任西安电子科技大学微电子学院教授、硕士生导师，在职博士。是IEEE会员，中国电子学会高级会员，陕西省真空学会理事。主讲了《原子物理》、《微电子工艺基础》、《集成电路制造技术》、《微电子工艺实习》、《微电子技术新进展》、《研究生专业实验》等本科、研究生课程。研究方向为应变Si技术、SiGe/Si材料与器件、非晶态半导体材料与器件、铁电材料与微波器件、高速与RF电路设计等。在物理学报、电子学报、半导体学报等核心刊物及国内外会议发表学术论文60余篇（其中SCI、EI检索30余篇）。获陕西省教委及西安电子科技大学优秀科技成果奖等5项，获陕西省自然科学优秀论文奖3项，获国家发明专利4项（第一发明人2项）及实用新型专利3项（第一发明人1项）。主持或参加了军事电子预研、国家自然科学基金、武器装备预研、武器装备预研基金等21多项重要科研项目，完成17项，在研4项。总经费800多万元,其中主持科研7项,总经费300余万元。在主持的国防重点实验室基金"SiGe/Si材料杂质浓度表征及工艺控制"项目研究中，提出了四探针法测量SiGe掺杂浓度的新方法，并获国家发明专利，至今尚未见国内外报道。