intrinsic germanium

导电靠本征激发的本征载流子起主导作用的高纯锗。金刚石型结构。银白色，有金属光泽，质脆而硬。具有半导体特性，室温本征电阻率49Ω·cm，本征载流子浓度2.4×10^13(cm-3)，禁带宽度随温度升高而减小，温度系数为-3.7×10-4eV/K。通过氯化、蒸馏、萃取、精馏获高纯四氯化锗，水解成二氧化锗，再氢还原并区域熔炼制取。为半导体材料、化合物超导材料和合金掺杂剂。