类别：分离式半导体产品
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.8 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：43A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：780pF @ 15V
功率 - 最大：40W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：管件