基本参数：

类别：分离式半导体产品

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.8 毫欧 @ 15A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：43A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：780pF @ 15V

功率 - 最大：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：管件