制造商零件编号：ikw75n60t

制造商: Infineon、英飞凌

规格：

晶体管类型:IGBT

集电极直流电流:80A

饱和电压, Vce sat 最大:2V

最大功耗:428W

电压, Vceo:600V

工作温度范围:-40°C to +175°C

封装类型:TO-247

SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

功耗:428W

封装类型:TO-247

晶体管数:1

晶体管极性:N Channel

最大连续电流, Ic:75A

电压, Vces:600V

表面安装器件:通孔安装