作者：(美)施敏(S. M. Sze)，(美)伍国珏(Kwok K. Ng)著
出版社：西安交通大学出版社
ISBN： 978-7-5605-2596-9
页码：598页 26cm
装帧：平装
开本：16
出版日期：2008年
定价：CNY76.00
《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。
为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。
第1章 半导体物理基础
第2章 PN结
第3章 双极型晶体管
第4章 MOS场效应晶体管
第5章 结型场效应晶体管及金属-半导体场效应晶体管
第6章 其他常用半导体器件
附录
参考文献