基本概况

揭牌仪式

平台建设

研究领域

基本概况

中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心依托：中国科学技术大学信息科学技术学院和中国科学院微电子研究所共同建设，联合研究中心设在中国科学技术大学信息学院。为迎接即将到来的纳米电子时代所面临的科技挑战，适应微纳电子学科领域科学化与系统化发展趋势，充分发挥中国科大多学科交叉和所系结合的办学优势，中国科大与中科院微电子研究所联合成立“微纳电子系统集成研究中心”，将不断加强“所系结合”，充分发挥中科院微电子所和中国科大的学科优势，积极面向国家对集成电路的战略需求，进行关键前沿技术的自主创新。研究中心由中科院微电子所叶甜春所长担任主任，中国科大“千人计划”林福江教授担任执行主任。

揭牌仪式

2010年 9月18日上午，“微纳电子系统集成研究中心”在中国科大正式揭牌，20多

个国内外著名芯片代工厂、高校与IC企业的60多名高管、领导、专家、教授出席了这一国内IC业界的盛典，此举标志着中国科学院在微纳电子系统集成这个科研前沿领域已经形成了产学研结合的研究团队和平台。揭牌仪式由中国科大信息学院院长李卫平主持，中国科大副校长朱长飞代表学校致开幕辞。揭牌仪式上，中国科大林福江教授与微电子所陈大鹏研究员签署了共建微纳电子系统集成研究中心的协议，中国科大校长侯建国与微电子所所长叶甜春共同为中心揭牌。侯建国校长向叶甜春所长颁发了电子科学与技术系系主任及微纳电子系统集成研究中心主任的聘书，并与叶甜春系主任共同为24位国内外IC业界著名专家学者和中芯国际、芯联国际、Cadence等公司的高管颁发了国际学术顾问和兼职研究员聘书。叶甜春主任在就职演讲中介绍了当前微电子行业的发展态势与国家科技重大专项的需求，以及我国电子信息产业在核心技术方面缺少自主知识产权的现状，希望微电子所进一步与中国科大进行优势互补，全力支持共建微纳电子系统集成研究中心。在随后举办的“IC前沿领域学术论坛”上，日本横滨大学信息与通信技术研究院超宽带（UWB）技术和医学信息与通信研究所所长Ryuji Kohno教授，IEEE fellow、清华大学余志平教授，清华大学微电子所副所长王志华教授，中芯国际副总裁谢志峰博士，千人计划、中科院微电子所朱慧珑教授，芯联国总裁高秉强博士，电子科技大学康凯教授，千人计划、中国科大微纳电子系统集成研究中心执行主任林福江教授等专家学者，就IC领域前沿研究进展及展望等问题分别作了学术报告。

平台建设

（1）中国科学技术大学信息科学技术学院

中国科大作为微纳电子系统集成研究中心的主体依托单位，全力推行“全院办校、所系结合”的办学方针，信息科学技术学院、物理学院等单位在学科上有众多领域与中科院微电子研究所的研究方向高度符合。中国科大的IC学科尤其是射频集成电路设计和建模研究近期异军突起，连续承担了两项超宽带（UWB）高速无线通信芯片设计国家重大科技专项。电子科学技术、信息通信控制与生物医学工程三大领域协同发展，是中国科大信息学院未来发展的重要战略构想，“人才引进”和“科研平台”则是学院进一步发展的两大抓手，新成立的微纳电子系统集成研究中心就是其中的重要学科方向之一，学院将从全院资源上予以重点支持，在“所系结合”的方针下积极与微电子所联合共建该研究中心，积极联合申请和承担国家重点科技攻关项目，同时积极面向国内外著名高校、科研院所和一流IC企业，开展学术合作与交流，积极引进和培养具有国际水平领军人才和工程人员，争取早日建设成为一个能够引领我国微纳电子系统集成领域研究方向的基础研究、产品开发、人才培养的重要基地（ 中科院信息科学技术学院院长李卫平） 。

（2）中国科学院微电子研究所

作为研究中心的依托单位之一，中科院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院 EDA 中心的依托单位。研究所秉承“惟精惟一、求是求新”的精神，面向国家战略需求，进行关键技术创新与集成，拓展前沿技术与基础研究领域，已成为我国IC技术和产业领域的一个技术创新基地。

“微纳电子系统集成研究中心”的成立，将为中科院微电子研究所和中国科大相互合作、共同培养人才、开展国际化交流提供平台，为双方以及国内外合作单位在相关前沿领域的联合探索、预研和攻关提供便利，以实现优势互补，共同发展。

研究领域

研究中心主要致力于集成电路与系统设计、新型纳米半导体工艺、MEMS / NEMS（微机电系统）工艺器件与IC共设计、生物医学芯片集成等前沿技术与基础研究，研究方向侧重于超高频/超高速/超宽带电路与系统的集成（超高系统集成），超低功耗/低电压/低噪音电路与系统的集成（超低系统集成），核心电子器件、高端通用芯片及EDA软件研发（核高基），三维系统模块与多芯先进工艺（三维系统），新一代微纳电子器件，EDA科学化，数字信号处理IP核设计（交叉学科）五大领域。工艺选择上将以CMOS及Si/Ge BiCMOS等硅工艺为主，兼顾GaAs、InP等化合物半导体工艺，重点突破下一代微电子学科的基础研究和产业发展中亟待解决的关键性技术问题，使我国微纳电子系统集成研究达到国际先进水平。