个人简历：

学术兼职：

主要研究领域：

获奖及成就：

近期发表的论文：

个人简历：

叶邦角，男，1962年生，浙江省平阳县人，理学博士，教授，中国科学技术大学物理学院党委书记、副院长。

1978年至1981年在温州师范学院物理系学习；1981年至1986年在敖江二中任教；

1986年进入中国科学技术大学近代物理系作为研究生；

1993年获理学博士学位，并荣获郭沫若奖；

1992年起任中国科技大学讲师、副教授、教授。

1995-1996年作为高级交流科学家，在日本原子力研究所工作一年。

1999年受日本东京大学校长的邀请，担任东京大学客座教授一年。

学术兼职：

中国核学会理事，中国核物理学会常务理事，安徽省核学会常务副理事长，《原子核物理评论》编委，《现代物理知识》编委，《大学物理》编委，全国高校《电磁学》教学研究会常务理事。

主要研究领域：

原子核物理，

核固体物理，

正电子谱学，

核与粒子探测技术，

核技术应用，

Muon物理及其应用

获奖及成就：

2006年被评为中国科学技术大学教学名师，

2007年获国务院特殊津贴，

2008年为中国科学技术大学《电磁学》课程讲座教授。

2008年教学成果获安徽省特等奖。

长期从事核物理与核技术应用的研究，涉及粒子物理、中子物理、探测技术和正电子物理等领域。主持和参与多项国家自然科学基金面上项目和中国科学院研究项目。主持国家自然科学基金重点项目。在核物理领域，曾建立了一套测量（n,x）核反应双微分截面的多路望远镜系统，测量了一批聚变堆结构材料的中子核数据，其研究成果全部被国际原子能机构（IAEA）和美国能源部（DOE）收录，该项成果荣获安徽省高校科技进步二等奖。在中子溅射研究中，在国际上首次提出约化溅射产额的概念，并在首次实验上获得了(n,2n), (n,p), (n,a)和(n,np)核反应的快中子溅射的系统性规律。在正电子物理领域，建立并利用慢正电子束和脉冲慢正电子束装置进行材料微结构的研究。已在国际和国内著名刊物上发表80多篇论文。

近期发表的论文：

1) Characterizing Native Point Defects in ZnO Bulk by Positron Annihilation Spectroscopy ， Materials Science Forum Volume 607，137（2009）。

2) Positron Beam Study of Co Doped ZnO Films Prepared by PLD， Materials Science Forum Volume 607，102（2009）。

3) Slow Positron Beam Probe for the ZnO/Silicone under Proton Irradiation，Materials Science Forum Volume 607，108（2009）。

4) The Calculation of Positron Lifetime in Ni3Al Alloy，Materials Science Forum Volume 607，146（2009）。

5) Positron Annihilation in Carbon Nanotubes，Materials Science Forum Volume 607，198（2009）。

6) Tungsten oxide nanostructures growth in HFCVD system by slow positron beam, PPC9, Materials Science Forum Vol. 607, 195, 2009

7) The influence of filament temperature and oxygen concentration on tungsten oxide nanostructures by hot filament metal oxide deposition， JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，Volume: 41 Issue: 15 3271-3275 （2008）。

8) Analysis of positron annihilation in carbon allotropes，物理学报,Vol.75,No.5, 3271-3275 (2008)。

9) Analysis of positron annihilation lifetime in single-walled carbon nanotube bundles；ACTA PHYSICA SINICA 56 (11): 6695-6700 NOV 2007

10) Influence of GaN polarity and intermediate-temperature buffer layers on strain relaxation and defects；PHYSICA B-CONDENSED MATTER 391 (1): 6-11 MAR 15 2007